Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Mounting: Flat Sensor
Band Type: Band B
Wire Length: 19 mm
Sensor Width: 1.905 mm
Output Signal: Voltage
Repeatability: ± 10 mK @ 4.2 K
Sensor Height: 1.08 mm
Sensor Length: 3.175 mm
Wire Diameter: 0.38 mm
Sensor Threads: N/A
Number of Wires: 2
Reverse Voltage: 60 V
Current, Max Note: 1 mA, continuous or 100 mA, pulsed
Supply Power Effects: 16 µW @ 4.2 K; 10 µW @ 77 K; 5 µW @ 300 K
Thermal Response Time: SD Model: Typical <10 ms @; 4.2 K, 100 ms @ 77 K, 200 ms ;@ 305 K;BR Model: 1 ms @ 4.2 K, ;13 ms @ 77 K, 20 ms @ 305 K
Use in Radiation Note: Recommended for use only in low level radiation
Recommended Excitation: 10 µA, ± 0.1%
Temperature Sensor Type: Silicon Diode
Process Temperature, Max: 226.85 °C
Process Temperature, Min: -271.8 °C
Accuracy Band Availability: 1, 2, 3, 4
Use in Magnetic Field Note: Not recommended for use in magnetic field applications below 60 K; low magnetic field dependence when used in fields up to 5 tesla above 60 K