Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 900 mW
DC Current Gain hFE Max: 400 at - 100 mA, - 2 V
Gain Bandwidth Product fT: 150 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Maximum DC Collector Current: 2 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 140
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 180 mV
