For full functionality of this site it is necessary to enable JavaScript.
EMIN.VN
0
Product image

BJT - Transistor lưỡng cực Transistor lưỡng cực, 20V, 5A, VCE(sat) thấp, NPN đơn PCP hFE 280-560 onsemi 2SD1628G-TD-E

Model2SD1628G-TD-E
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi

Technology: Si

Unit Weight: 51.670 mg

REACH - SVHC: Details

Configuration: Single

Mounting Style: SMD/SMT

Transistor Polarity: NPN

Pd - Power Dissipation: 500 mW

DC Current Gain hFE Max: 560 at 500 mA, 2 V

Gain Bandwidth Product fT: 120 MHz

Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V

Collector- Base Voltage VCBO: 60 V

Maximum DC Collector Current: 5 A

Maximum Operating Temperature: + 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min: 120

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 20 V

Collector-Emitter Saturation Voltage: 500 mV

Cập nhật các ưu đãi mới nhất

Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.

Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụChính sách bảo mật của chúng tôi.

Hỗ trợ nhanh

Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi