Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Technology: Si
Unit Weight: 7.700 mg
Configuration: Dual
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN, PNP
Pd - Power Dissipation: 550 mW
DC Current Gain hFE Max: 800, 500
Gain Bandwidth Product fT: 540 MHz, 520 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 40 V, 30 V
Continuous Collector Current: 700 mA, - 700 mA
Maximum DC Collector Current: 3 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 300, 200
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 30 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 85 mV, 110 mV