Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Width: 4 mm
Height: 1.5 mm
Length: 5 mm
Technology: Si
Unit Weight: 143 mg
Configuration: Dual
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN, PNP
Pd - Power Dissipation: 783 mW
DC Current Gain hFE Max: 200 at 10 mA, 2 V
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V, 7 V
Collector- Base Voltage VCBO: 40 V
Maximum DC Collector Current: 3 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 200 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 82 mV, 135 mV