Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Technology: Si
Unit Weight: 72 mg
Configuration: Dual
Qualification: AEC-Q101
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN, PNP
Pd - Power Dissipation: 653 mW
DC Current Gain hFE Max: 230
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V, 7 V
Collector- Base Voltage VCBO: 40 V
Continuous Collector Current: 3 A
Maximum DC Collector Current: 3 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 150
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 82 mV, 135 mV
