Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Technology: Si
Unit Weight: 1.270 mg
Configuration: Single
Qualification: AEC-Q101
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 265 mW
DC Current Gain hFE Max: 475 at - 2 mA, - 5 V
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 80 V
Maximum DC Collector Current: 100 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 220 at - 2 mA, - 5 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 65 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 300 mV