Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Technology: Si
Unit Weight: 40 mg
Configuration: Dual
Qualification: AEC-Q101
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 400 mW
Gate-Source Cutoff Voltage: - 1.2 V
Maximum Drain Gate Voltage: 25 V
Drain-Source Current at Vgs=0: 40 mA
Id - Continuous Drain Current: 50 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 40 mS
Rds On - Drain-Source Resistance: 78 mOhms
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 25 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 25 V
