Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Width: 29 mm
Height: 5.8 mm
Length: 44.2 mm
Fall Time: 9 ns
Rise Time: 12 ns
Technology: SiC
Configuration: 3-Phase Bridge
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 6 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 208 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 15 V, + 25 V
Typical Turn-On Delay Time: 12 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 21 ns
Id - Continuous Drain Current: 31 A
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 116 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4.3 V
