Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi

Width: 29 mm
Height: 5.8 mm
Length: 44.2 mm
Fall Time: 9 ns
Rise Time: 12 ns
Technology: SiC
Configuration: 3-Phase Bridge
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 6 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 208 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 15 V, + 25 V
Typical Turn-On Delay Time: 12 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 21 ns
Id - Continuous Drain Current: 31 A
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 116 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4.3 V