Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules onsemi NXH200T120H3Q2F2SG
Hãng sản xuấtonsemi(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelNXH200T120H3Q2F2SG
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
IGBT Technology: IGBT [Trench/F
IGBT Termination: Solder
Power Dissipation: 679
IGBT Configuration: Three Level In
Transistor Mounting: Through Hole
Transistor Case Style: Module
Operating Temperature Max: 175 °C
Continuous Collector Current: 330
Collector Emitter Voltage Max: 1.2
Collector Emitter Saturation Voltage: 1.86
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi