Mô-đun lai Si/SiC 1000V, 75A FSIII IGBT, tốc độ trung bình với diode chống song song chắc chắn trong chân nhấn press fit onsemi NXH450B100H4Q2F2PG-R
Hãng sản xuấtonsemi(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelNXH450B100H4Q2F2PG-R
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Technology: SiC, Si
Configuration: Triple
Mounting Style: Press Fit
Pd - Power Dissipation: 234 W
Gate-Emitter Leakage Current: 800 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.7 V
Continuous Collector Current at 25 C: 101 A
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi