Mô-đun IGBT THỊ TRƯỜNG ĐẠI CHÚNG GEN3 Q2BOOST VỚI CHÂN ÉP onsemi NXH600B100H4Q2F2PG
Hãng sản xuấtonsemi(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelNXH600B100H4Q2F2PG
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Technology: SiC, Si
Configuration: Single
Mounting Style: Press Fit
Pd - Power Dissipation: 187.5 mW
Gate-Emitter Leakage Current: 1 uA
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.69 V
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi