Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Loại đầu dò: InGaAs
Rise time/ Fall time: <0.175 nsec
Dải phổ: 900-1700 nm
Đường kính hoạt động: 0.1 mm
Công suất tương đương tiếng ồn: <0.03 pW / √Hz
Kích thước: 54 L x 34 W x 40 D (mm)
Diện tích dò: 0.0079 mm²
Đáp ứng ở bước sóng cực đại: 1.1 A/W
Đáp ứng (Bức xạ) ở bước sóng cực đại: 4.3 x 10⁻³ V/ (W/cm²)
Điện áp phân cực: 6 VDC
Nguồn điện áp phân cực: Pin
Băng thông: >2 GHz
Dòng điện tối: <2 nA
Công suất đầu vào trung bình tối đa: 10 mW
Lỗ gắn: 8-32 & M4
Đầu nối ra: BNC
Phụ kiện ren: M20x1
Tuân thủ: CE, UKCA, China RoHS
