MOSFET 100V 1.5mohms DỤNG CỤ CHO ỨNG DỤNG ESS BBU LEV PANJIT PSMN015N10NS2_R2_00201
Hãng sản xuấtPANJIT(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelPSMN015N10NS2_R2_00201
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Technology: Si
Unit Weight: 1 g
Configuration: Single
Qg - Gate Charge: 128 nC
Transistor Polarity: N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Id - Continuous Drain Current: 395 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 1.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3.8 V
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi