Transistor FET GaN .03-3GHz Độ lợi 17dB Công suất P3dB 9.3W@2.4GHz GaN Qorvo TGF3015-SM
Hãng sản xuấtQorvo(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelTGF3015-SM
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Gain: 17.1 dB
Technology: GaN
Unit Weight: 6.745 g
Output Power: 11 W
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Development Kit: TGF3015-SM-EVB1
Transistor Type: HEMT
Moisture Sensitive: Yes
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 15.3 W
Maximum Operating Frequency: 3 GHz
Minimum Operating Frequency: 30 MHz
Id - Continuous Drain Current: 557 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 2.7 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 32 V
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi