Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 319 W
Gate-Emitter Leakage Current: 1 uA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.25 kV
Continuous Collector Current Ic Max: 40 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.8 V
Continuous Collector Current at 25 C: 80 A
