Transistor lưỡng cực NPN BJTs - Transistor khuếch đại đa năng ROHM Semiconductor 2SCR522EBTL
Hãng sản xuấtROHM Semiconductor(Xem thêm sản phẩm của hãng)
Model2SCR522EBTL
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Technology: Si
Unit Weight: 6 mg
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 150 mW
DC Current Gain hFE Max: 560 at 1 mA, 2 V
Gain Bandwidth Product fT: 400 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 20 V
Maximum DC Collector Current: 200 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 120 at 1 mA, 2 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 20 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 300 mV
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi