Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Width: 62 mm
Height: 15.4 mm
Length: 152 mm
Fall Time: 65 ns
Rise Time: 70 ns
Technology: SiC
Unit Weight: 444.780 g
Configuration: Dual
Mounting Style: Screw Mount
Number of Channels: 2 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Vr - Reverse Voltage: 1.2 kV
Pd - Power Dissipation: 1.875 kW
Vgs - Gate-Source Voltage: - 6 V, + 22 V
Typical Turn-On Delay Time: 80 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 250 ns
Id - Continuous Drain Current: 300 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.7 V