BJTs - Transistor lưỡng cực BSS63A là Transistor đóng gói SOT-23 cho bộ khuếch đại điện áp cao. ROHM Semiconductor BSS63AT116
Hãng sản xuấtROHM Semiconductor(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelBSS63AT116
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 350 mW
Gain Bandwidth Product fT: 200 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector- Base Voltage VCBO: 110 V
Continuous Collector Current: - 100 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 30 at - 25 mA, - 1 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 500 mV
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi