Pre-Biased Bipolar Transistor ROHM Semiconductor DTC124ESATP
Hãng sản xuấtROHM Semiconductor(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelDTC124ESATP
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
R1/R2: 1
Mounting Type: Through Hole
Power-Maximum: 300mW
Transistor type: NPN-Prebias
Collector current: 100mA
DC electricity gain: 56@5mA@5V
Frequency-Transition: 250MHz
Resistance-Base (R1): 22kOhms
Vce Saturation (maximum): 300mV@500uA,10mA
Collector-emitter voltage: 50V
Resistance-Emitter base (R2): 22kOhms
DC current gain (hFE) (minimum): 56@5mA,5V
Current-Collector (Ic) (maximum): 30mA
Current-Collector cutoff (maximum): 500nA
Voltage-Collector-emitter breakdown (maximum): 50V
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi