MOSFET RA1C030LD là MOSFET WLCSP với điện trở bật thấp và gói công suất cao, phù hợp cho mạch chuyển mạch, ứng dụng pin một cell, ứng dụng di động ROHM Semiconductor RA1C030LDT5CL

Fall Time: 4 ns

Rise Time: 6 ns

Technology: Si

Channel Mode: Enhancement

Configuration: Single

Mounting Style: SMD/SMT

Qg - Gate Charge: 1.5 nC

Number of Channels: 1 Channel

Transistor Polarity: N-Channel

Pd - Power Dissipation: 1 W

Vgs - Gate-Source Voltage: - 200 mV, + 7 V

Typical Turn-On Delay Time: 6 ns

Typical Turn-Off Delay Time: 15 ns

Id - Continuous Drain Current: 3 A

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Minimum Operating Temperature: - 50 C

Rds On - Drain-Source Resistance: 140 mOhms

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.5 V