Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Fall Time: 14 ns
Rise Time: 43 ns
Technology: SiC
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Type: 1 N-Channel
Qg - Gate Charge: 170 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 312 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 4 V, + 21 V
Typical Turn-On Delay Time: 15 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 50 ns
Id - Continuous Drain Current: 81 A
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Forward Transconductance - Min: 22 S
Rds On - Drain-Source Resistance: 23.4 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4.8 V
