Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Width: 1.7 mm
Height: 0.77 mm
Length: 2 mm
Technology: Si
Configuration: Dual
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 400 mW
DC Current Gain hFE Max: 680 at - 100 mA, - 2 V
Gain Bandwidth Product fT: 320 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector- Base Voltage VCBO: 30 V
Continuous Collector Current: - 1 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 270 at - 100 mA, - 2 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 30 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 350 mV
