Máy phát xung, tạo trễ điện tử Stanford DG645 (optional 8 đầu ra trễ)

Độ trễ:

Kênh: 4 xung độc lập được điều khiển vị trí và độ rộng. 8 kênh trễ có sẵn dưới dạng tùy chọn.

Dải: 0 - 2000 giây

Độ phân giải: 5 ps

Độ chính xác: 1 ns + (sai số cơ sở thời gian × độ trễ)

Độ nhiễu (rms):

Trigger ngoài đến đến bất kì đầu ra nào: 25 ps + (độ nhiễu thời gian cơ sở× độ trễ)

T0 đến bất kì đầu ra nào: 15 ps + (độ nhiễu thời gian cơ sở ×độ trễ)

Độ trễ trigger: 85 ns (trigger ngoài đến đầu ra T0)

Thời gian cơ sở:

Tinh thể tiêu chuẩn:

Độ nhiễu: 10-8 s/s

Độ ổn định: 2 x 10-6 (20 °C to 30 °C)

Độ lão hóa: 5 ppm/yr

Opt. 4 OCXO:

Độ nhiễu: 10-11 s/s

Độ ổn định: 2 x 10-9 (20 °C to 30 °C)

Độ lão hóa: 0.2 ppm/yr

Opt. 5 Rubidium:

Độ nhiễu: 10-11 s/s

Độ ổn định: 2 x 10-10 (20 °C to 30 °C)

Độ lão hóa: 0.0005 ppm/yr

Đầu vào ngoài:

10 MHz ± 10 ppm, sine >0.5 Vpp,

1 kΩ trở kháng

Đầu ra: 10 MHz, 2 Vpp ine vào 50 Ω

Trigger ngoài:

Tốc độ: DC - 1/(100 ns + độ trễ lâu nhất). Tối đa 10 MHz

Ngưỡng: ±3.50 VDC

Độ dốc: trigger trên cạnh lên hoặc xuống

Trở kháng: 1 MΩ + 15 pF

Internal Rate Generator:

Chế độ trigger: liên tục, dòng hoặc chụp một lần

Tốc độ: 100 µHz - 10 MHz

Độ phân giải: 1 µHz

Độ nhiễu (rms):

<25 ps (10 MHz/N tốc độ trigger)

<100 ps (tốc độ trigger khác)

Bộ phát xung:

Trigger đến T0 đầu tiên:

Dải: 0 - 2000 s

Độ phân giải: 5 ps

Khoảng thời gian giữa các xung:

Dải: 100 ns - 42.9 s

Độ phân giải: 10 ns

Đầu ra (T0, AB, CD, EF và GH):

Trở kháng nguồn: 50 Ω

Thời gian chuyển đổi: <2 ns

Quá tải: <100 mV + 10 % biên độ xung

Độ lệch: ±2 V

Biên độ: 0.5 - 5.0 V (cấp + độ lệch <6.0 V)

Độ chính xác: 100 mV + 5 % biên độ xung

Thông số chung:

Giao diện máy tính: GPIB (IEEE-488.2), RS-232 và Ethernet. Tất cả các chức năng của thiết bị có thể được điều khiển thông qua các giao diện.

Bộ nhớ bất biến: Chín bộ cấu hình thiết bị có thể được lưu trữ và lấy lại.

Nguồn: <100 W, 90 to 264 VAC, 47 Hz -63 Hz

Kích thước: 8.5" × 3.5" × 13" (WHL)

Trọng lượng: 9 lbs.

Datasheet

Manual