Bộ tiền khuếch đại JFET Stanford SIM910 (DC - 1 MHz, 1 - 100)

Dải tần số: DC - 1 MHz

Độ khuếch đại: 1 - 100 (1-2-5 sequence)

Độ chính xác độ khuếch đại:

±0.5 % (DC - 100 kHz)

±5 % (<1 MHz)

Độ ổn định độ khuếch đại: 200 ppm/°C

Độ nhiễu đầu vào (typ.): 4 nV/√Hz tại 1 kHz (SIM910)

Trở kháng đầu vào: 100 MΩ // 35 pF (SIM910)

Dòng phân cực đầu vào (DC ghép): 0.5 pA (typ.) (SIM910)

Tần số nguồn AC ghép. (-3dB): 16 mHz (SIM910)

Tùy chọn đầu vào: A, A-B hoặc GND

Nguồn ghép đầu vào: AC hoặc DC

Bảo vệ đầu vào nổi hoặc nối đất

Đầu vào tối đa: ±1 V vi sai, ±5 V chế độ thông thường

Đầu ra tối đa: ±10 V

Độ loại trừ chế độ thông thường: 85 dB tại 1 kHz

Nhiệt độ hoạt động: 0 °C - 40 °C (không ngưng tụ)

Giao diện: nối tiếp thông qua giao diện SIM

Đầu nối: BNC (3 phía trước, 1 phía sau); DB15 (male) giao diện SIM

Nguồn: cấp bởi máy chính SIM900, hoặc nguồn DC do người dùng mua thêm (±15 V và +5 V)

Kích thước: 1.5" × 3.6" × 7.0" (WHL)

Trọng lượng: 1.5 lbs

Datasheet

Manual