Bộ tiền khuếch đại dòng điện Stanford SIM918 (106 V/A, 107 V/A , 108 V/A)

Điện áp lệnh đầu vào: <10 µV (cho phép tự động về zero)

Trở kháng đầu vào: <1Ω (DC), 18 pF

Độ khuếch đại dòng điện: 106 V/A, 107 V/A hoặc 108 V/A

Độ chính xác độ khuếch đại:

(106 V/A): ±0.1 %

(107 V/A): ±0.1 %

(108 V/A): ±2 %

Độ ổn định độ khuếch đại:

(106 V/A): ±10 ppm/°C

(107 V/A): ±50 ppm/°C

(108 V/A): ±100 ppm/°C

Băng thông (typ.):

(106 V/A): 22 kHz

(107 V/A): 12 kHz

(108 V/A): 4 kHz

Độ nhiễu đầu vào (typ.):

(106 V/A): 130 fA/√Hz tại 100 Hz

(107 V/A): 42 fA/√Hz tại 100 Hz

(108 V/A): 15 fA/√Hz tại 100 Hz

Dòng phân cực AC: 3.5 pA rms (w/ cho phép tự động về zero)

Dòng phân cực DC: <2 pA

Đầu vào phân cực:

Dải: ±5 VDC

Đáp ứng tần số: 0.2 Hz

Trở kháng đầu vào: 10 MΩ

Bảo vệ đầu vào BNC: nổi hoặc nối đất

Đầu ra:

Dải: ±10 V

Dòng điện tối đa: 100 mA

Thông số chung:

Nhiệt độ hoạt động: 0 °C - 40 °C, không ngưng tụ

Giao diện: nối tiếp thông qua giao diện SIM

Đầu nối: BNC (3 phía trước, 2 phía sau)

DB15 (male): giao diện SIM

Nguồn: cấp bới máy chính SIM900, hoặc nguồn DC người dùng (±15 V and +5 V).

Kích thước: 1.5" × 3.6" × 7.0" (WHL)

Trọng lượng: 1.7 lbs.

Datasheet

Manual