Bộ điều khiển nhiệt độ diot Stanford SIM922A (1.4 K - 475 K)

Đầu vào: 1

Loại cảm biến: di ốt Si, GaAs, hoặc GaAlAs

Kiểu đo: 4-dây

Dòng kích thích (dòng không đổi): 10 µA ± 0.01 %

Đơn vị đo: Volts

Dải đầu vào: 0 V - 7.5 V

Đường cong hiệu chuẩn: 1 đường chuẩn cộng với 1 đường cong người dùng, 256 điểm

Dải nhiệt độ (typ.): 1.4 K - 475 K (phụ thuộc vào cảm biến)

Độ phân giải hiển thị.: 4 digits

Độ phân giải giao diện.: 1 µV

Độ phân giải phép đo.: 4 µVrms

(1 mArms / 10 µArms)

Độ chính xác (23±1°C): 20 µV + 0.01 %

Hệ số nhiệt độ: ±5 ppm/°C

Thông số chung:

Tốc độ đo: 5 phép đọc mỗi giây

Đầu ra analog theo chia tỷ lệ: ± 10 VDC toàn dải

Toàn dải: 10 K, 100 K hoặc 1000 K

Độ phân giải: 300 µV

Độ chính xác: 1 mV

Giám sát đầu ra analog:

Độ lệch: <20 µV (typical)

Băng thông: 4 kHz

Nhiệt độ hoạt động.: 0 °C - 40 °C (không ngưng tụ)

Giao diện: nối tiếp thông qua giao diện SIM

Nguồn (max.): cấp bới máy chính SIM900, hoặc nguồn DC người dùng (±15 V và +5 V).

Kích thước: 1.5" × 3.6" × 7.0" (WHL)

Trọng lượng: 1.4 lbs

Datasheet

Manual