Bộ đa hợp chuyển mạch Stanford SIM925 (8 kênh)

Kênh đầu vào: 8 (thêm 1 kênh tắt)

Dây mỗi kênh: 4

Điện trở nối tiếp: 2.0 Ω (max.)

Điện trở cách điện: >10 GΩ (typ.)

Trở kháng đầu vào:

<60 pF trên kênh đã chọn, giữa 2 dây dẫn hoặc nối đất bất kỳ.

<25 pF trên kênh đã chọn đến kênh không được chọn, 2 dây dẫn bất kỳ.

<25 pF trên kênh không được chọn.

Công suất chuyển đổi tối đa: 10 mA tại 10 VDC

EMF nhiệt: <10 µV (điển hình)

Trình tự chuyển mạch:

Break-before-make (Ngắt trước khi thực hiện) (mặc định)

Make-before-break (thực hiện trước khi ngắt) (giao diện từ xa)

Tốc độ chuyển mạch: 50 ms max. (ngắt trước khi thực hiện)

Bộ đệm:

Băng thông: 1 MHz (typ.)

Độ nhiễu đầu vào: 30 nV/√Hz tại 10 Hz, 16 nV/√Hz tại 1 kHz

Dòng phân cực: 5 pA (typ.)

Quá tải đầu vào: ±1.0 V

Nhiệt độ hoạt động: 0 °C - 40 °C (không ngưng tụ)

Giao diện: nối tiếp thông qua giao diện SIM

Đầu nối: nối tiếp thông qua giao diện SIM:

Kênh đầu vào: DB37 (female, bảng điều khiển trước)

Thông thường: DB9 (male, bảng điều khiển sau)

Kênh tắt: DB9 (female, bảng điều khiển sau)

SIM: DB15 (male) giao diện SIM

Nguồn: cấp bới máy chính SIM900, hoặc nguồn DC người dùng (±15 V và+5 V).

Kích thước: 1.5" × 3.6" × 7.0" (WHL)

Trọng lượng: 1.5 lbs.

Datasheet

Manual