Thiết bị đo điện áp điện tử Stanford SIM970 (4 kênh)

Số kênh: 4

Hiển thị điện tử: 5½ (±199999 số đếm)

Toàn dải:

Dải 1: ±19.9999 V, 100 µV res., 1.5 đếm độ nhiễu (rms)

Dải 2: ±1.99999 V, 10 µV res., 0.8 đếm độ nhiễu (rms)

Dải 3: ±999.99 mV, 10 µV res., 0.8 đếm độ nhiễu (rms)

Dải 4: ±199.999 mV, 1 µV res., 1.0 đếm độ nhiễu (rms)

Độ chính xác: ±(% số đọc + số đếm)

Dải 1: 0.0010 + 2 (24 giờ.), 0.0050 + 2 (90 ngày), 0.0080 + 2 (1 năm.)

Dải 2: 0.0002 + 2 (24 giờ.), 0.0050 + 2 (90 ngày), 0.0080 + 2 (1 năm.)

Dải 3: 0.0002 + 2 (24 giờ.), 0.0050 + 2 (90 ngày), 0.0080 + 2 (1 năm.)

Dải 4: 0.0002 + 4 (24 giờ.), 0.0050 + 6 (90 ngày), 0.0080 + 6 (1 năm.)

Độ chính xác truyền: (sai số đếm 24 giờ)/2 [ 3 ][ 5 ] (typ.)

Trở kháng đầu vào: 10 MΩ ± 1 %, >3 GΩ tùy chọn trong dải 2 - 4 [ 6 ]

Đầu nối vào: BNC (Amphenol 31-10 hoặc tương tự)

Bảo vệ đầu vào: ±60 V trung tâm đến vỏ, ±200 V vỏ đến đất

Triggering: trong, ngoài (TTL), hoặc từ xa

Tốc độ cập nhật: 3.6/s (60 Hz), 3.0/s (50 Hz)

Loại bỏ chế độ thông thường: 90 dB (59 Hz - 61 Hz hoặc 49 Hz - 51 Hz)

CMRR (tại DC): 125 dB (cho 1 kΩ không cân bằng tại vỏ)

Thời gian ổn định: 1 s đến khoảng 3 số đếm của số đọc cuối cùng trong dải 1 - 3, 8 s với dải 4

Nhiệt độ hoạt động: 0 °C - 40 °C (không ngưng tụ)

Giao diện: nối tiếp thông qua giao diện SIM

Đầu nối: BNC (4 phía trước, 2 phía sau); DB15 (male) giao diện SIM

Nguồn: cấp bởi máy chính SIM900, hoặc nguồn DC người dùng mua thêm (+5 V)

Kích thước: 3.0" × 3.6" × 7.0" (WHL)

Trọng lượng: 2.3 lbs.

Datasheet

Manual