Bộ khuếch đại cách ly Stanford SIM984 (±1000 V, 100 Hz~1 MHz)

Điện áp cách ly: ±1000 V (max)

Dòng dò: <2 µA tại 1000 VDC

Điện dung cách ly: 1000 pF

IMRR: 150 dB (DC)

Đầu vào tối đa: ±10 V

Trở kháng đầu vào: 1 MΩ

Độ nhiễu đầu vào (typ.): 15 nV/√Hz tại 1 kHz

Độ trôi đầu vào: 3 µV/°C (typ)

Dải điện áp đầu ra: ±10 V

Dòng điện đầu ra: ±20 mA (max)

Trở kháng đầu ra: 50 Ω

Độ trễ đầu ra: ±0.1 V, tùy chỉnh

Độ trôi đầu ra: 1 mV/°C (typ.)

Độ nhiễu đầu ra:

80 µVrms (băng thông 100 Hz)

200 µVrms (băng thông 10 kHz)

1.5 mVrms (băng thông 1 MHz)

Độ khuếch đại: x1, x10, x100

Sai số khuếch đại: ±0.5 %

THD: 0.005 % (tại 1 kHz, tải 600 Ω)

Dải tần số:

DC - 100 Hz (BW thấp)

DC - 10 kHz (BW trung)

DC - 1 MHz (BW cao)

Thời gian tâng: 300 ns (Vout = 4 V)

Tốc độ quét: 25 V/µs (Vout = 20 Vpp)

Giao diện: nối tiếp thông qua giao diện SIM

Đầu nối:

Giắc quả chuối (2 phía trước),

BNC (1 phía trước),

BNC (1 phía sau)

DB15 (male) giao diện SIM

Nguồn: cấp bới máy chính SIM900, hoặc nguồn DC người dùng (±15 V, +5 V, and +24 V).

Kích thước: 1.5" × 3.6" × 7.0" (WHL)

Trọng lượng: 1.5 lbs

Datasheet

Manual