BJTs - Transistor Lưỡng Cực Chịu Bức Xạ 50 V, 0.8 A Transistor NPN - Mẫu kỹ thuật STMicroelectronics 2N2222AUB1
Hãng sản xuấtSTMicroelectronics(Xem thêm sản phẩm của hãng)
Model2N2222AUB1
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 730 mW
DC Current Gain hFE Max: 300
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector- Base Voltage VCBO: 75 V
Continuous Collector Current: 800 mA
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 2.5
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 300 mV
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi