Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Width: 4.6 mm
Height: 9.15 mm
Length: 10.4 mm
Technology: Si
Unit Weight: 6 g
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 90 W
DC Current Gain hFE Max: 150
Gain Bandwidth Product fT: 3 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 100 V
Maximum DC Collector Current: 15 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 15
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 3 V
