Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Technology: Si
Unit Weight: 6 g
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 100 W
DC Current Gain hFE Max: 80
Emitter- Base Voltage VEBO: 19 V
Continuous Collector Current: 12 A
Maximum DC Collector Current: 12 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 24
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 500 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 600 mV
