Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Gain: 19 dB
Technology: Si
Unit Weight: 4 g
Output Power: 400 W
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: LDMOS FET
Moisture Sensitive: Yes
Number of Channels: 1 Channel
Operating Frequency: 1 GHz
Transistor Polarity: N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage: + 10 V
Id - Continuous Drain Current: 2.5 A
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 1 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 110 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
