Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Technology: SiC
Unit Weight: 4.500 g
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Qg - Gate Charge: 150 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 547 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 10 V, + 22 V
Id - Continuous Drain Current: 91 A
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 21 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4.9 V
