Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Fall Time: 9.7 ns
Rise Time: 6 ns
Technology: GaN
Unit Weight: 76 mg
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: E-Mode
Qg - Gate Charge: 3 nC
Moisture Sensitive: Yes
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 192 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 10 V, + 6 V
Typical Turn-On Delay Time: 4.1 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 8.9 ns
Id - Continuous Drain Current: 15 A
Maximum Operating Temperature: + 155 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 120 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.6 V
