Transistor IGBT cổng rãnh dừng trường 650 V, 30 A tốc độ cao dòng HB2 STMicroelectronics STGF30H65DFB2
Hãng sản xuấtSTMicroelectronics(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelSTGF30H65DFB2
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi