For full functionality of this site it is necessary to enable JavaScript.
EMIN.VN
0
Product image

Transistor IGBT cổng rãnh, trường dừng 650 V, 40 A dòng HB tốc độ cao STMicroelectronics STGWA40HP65FB

ModelSTGWA40HP65FB
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi

Technology: Si

Mounting Style: Through Hole

Pd - Power Dissipation: 227 W

Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V

Maximum Operating Temperature: + 175 C

Minimum Operating Temperature: - 55 C

Continuous Collector Current at 25 C: 72 A

Cập nhật các ưu đãi mới nhất

Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.

Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụChính sách bảo mật của chúng tôi.

Hỗ trợ nhanh

Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi