Dịch vụ cho thuê thiết bị
Dịch vụ hiệu chuẩn thiết bị
Dịch vụ kiểm định thiết bị
Dịch vụ sửa chữa thiết bị

Giới thiệu chung
Liên hệ
Nhân sự
Văn hóa công ty

Hãng sản xuất Sự kiện-Triển lãm

Tin tức-Diễn đàn

Chính sách khách hàng
Dành cho nhà cung cấp
Diễn đàn kỹ thuật
Giới thiệu sản phẩm
Hãng phân phối
Hướng dẫn sử dụng
Thông báo
Tin kỹ thuật

© 2011 - 2026 EMIN.VN. Bảo lưu mọi quyền.

FET GaN 650V, 18A, PDFN88, Transistor GaN E-mode Taiwan Semiconductor TSG65N110CE RVG | EMIN.VN

FET GaN
FET GaN 650V, 18A, PDFN88, Transistor GaN E-mode Taiwan Semiconductor TSG65N110CE RVG

Cập nhật các ưu đãi mới nhất

Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.

Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.

Hỗ trợ nhanh

Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi

Product image

FET GaN 650V, 18A, PDFN88, Transistor GaN E-mode Taiwan Semiconductor TSG65N110CE RVG

Hãng sản xuấtTaiwan Semiconductor(Xem thêm sản phẩm của hãng)

ModelTSG65N110CE RVG

Liên hệ

Số lượng

Thanh toán an toàn

Hỗ trợ chuyên nghiệp

Đổi trả dễ dàng

Giao hàng tận nơi

Fall Time: 4.8 ns

Rise Time: 5 ns

Technology: Si

Channel Mode: Enhancement

Configuration: Single

Mounting Style: SMD/SMT

Qg - Gate Charge: 4 nC

Number of Channels: 1 Channel

Transistor Polarity: N-Channel

Vgs - Gate-Source Voltage: - 10 V, + 7 V

Typical Turn-On Delay Time: 1.5 ns

Typical Turn-Off Delay Time: 2.9 ns

Id - Continuous Drain Current: 18 A

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Minimum Operating Temperature: - 55 C

Rds On - Drain-Source Resistance: 110 mOhms

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.6 V

Sản phẩm liên quan

FET GaN 3.4-3.8GHz 15W 50V Kênh Đơn GaN Qorvo QPD0007TR13

FET GaN 3.4-3.8GHz 15W 50V Kênh Đơn GaN Qorvo QPD0007TR13

FET GaN Điện Áp Cao Gan Rời Infineon IGO60R070D1AUMA2

FET GaN Điện Áp Cao Gan Rời Infineon IGO60R070D1AUMA2

FET GaN FET LDMOS RF MACOM GTVA261701FA-V1-R2

FET GaN FET LDMOS RF MACOM GTVA261701FA-V1-R2

Giai đoạn công suất GaN HEMT Nano Cap, EcoGaN, 650V 50mohm 2MHz, IC Giai đoạn công suất GaN HEMT ROHM Semiconductor BM3G005MUV-LBE2

Giai đoạn công suất GaN HEMT Nano Cap, EcoGaN, 650V 50mohm 2MHz, IC Giai đoạn công suất GaN HEMT ROHM Semiconductor BM3G005MUV-LBE2

FET GaN 650V, 8A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, làm mát mặt dưới Infineon GS-065-008-1-L-MR

FET GaN 650V, 8A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, làm mát mặt dưới Infineon GS-065-008-1-L-MR

FET GaN 650V, 7.5A, GaN E-mode, gói GaNPX, làm mát mặt dưới Infineon GS66502B-MR

FET GaN 650V, 7.5A, GaN E-mode, gói GaNPX, làm mát mặt dưới Infineon GS66502B-MR

Transistor GaN FETs CoolGaN 700 V G4 cho hiệu suất và độ tin cậy tối ưu Infineon GS-065-030-6-LT-TR

Transistor GaN FETs CoolGaN 700 V G4 cho hiệu suất và độ tin cậy tối ưu Infineon GS-065-030-6-LT-TR

GaN HEMTs GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt MACOM CGH40090PP

GaN HEMTs GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt MACOM CGH40090PP

GaN HEMTs Die GaN HEMT DC-18GHz, 25 Watt MACOM CGHV1J025D-GP4

GaN HEMTs Die GaN HEMT DC-18GHz, 25 Watt MACOM CGHV1J025D-GP4

FET GaN HEMT GaN, G28V4, 35W, DC-6.0GHz, PILL MACOM CG2H40035P

FET GaN HEMT GaN, G28V4, 35W, DC-6.0GHz, PILL MACOM CG2H40035P