Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Vgs(th): 1.3 V
Vgs (Max): 10V
Gate Charge (Qg): 11.2nC
Power consumption: 1.9W
Technology System: MOSFET(Metal Oxide)
Drain to Source voltage: 12V
Continuous drain current: 3.5A
Input Capacitance (Ciss): 1370pF
Operating temperature range: -55 to 150C
Field-effect transistor type: N-CH
Drain to Source on-state resistance: 10.2mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5|4.5V
