Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Vgs(th): 1.7 V
Vgs (Max): 20V
Gate Charge (Qg): 51nC
Power consumption: 3.2|96W
Technology System: MOSFET(Metal Oxide)
Drain to Source voltage: 30V
Continuous drain current: 100A
Input Capacitance (Ciss): 9200pF
Operating temperature range: -55 to 150C
Field-effect transistor type: N-CH
Drain to Source on-state resistance: 1.15mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5|10V
