Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Dải bước sóng: 475 - 650 nm
Chế độ công suất cao có thể chuyển đổi: Có
Thông số kỹ thuật hiệu suất suy giảm độ nhiễu
Ổn định công suất đầu ra (a): ± 0,05% (RMS)
Dải tần số suy giảm độ nhiễu (b): DC - 1,8 kHz
Phạm vi biên độ suy giảm độ nhiễu: 0,1% đến 50% tín hiệu đầu vào
Hệ số suy giảm độ nhiễu (c):> 150 ở 10 Hz, 80 ở 60 Hz. 20 ở 400 Hz, 4 ở 1 kHz
Phạm vi suy giảm công suất đầu ra hiệu quả (d): 1 - 40
Ngưỡng thiệt hại chặn phân cực bên trong (Suy hao công suất tối đa): 10 W/cm^2
Kiểm soát suy hao: Chiết áp tích hợp (10 vòng quay) hoặc SMA Modulation Input
Thông số kỹ thuật quang học
Truyền phát: >80% at 635 nm
Chuyển đổi mức công suất: High/Low Power Mode Switch and Four Position Power Range Switch
Công suất đầu vào tối thiểu: 0,5 mW
Tỷ lệ suy giảm phân cực ở đầu ra: > 1000: 1 trên phạm vi bước sóng
Ngưỡng Thiệt hại (CW) (e): 8 W/cm^2
Khẩu độ đầu vào: Ø5 mm
Đường kính tia đầu vào (f): Ø4 mm (Tối đa)
Độ dịch chuyển chùm tia đầu ra: 1 mm theo chiều dọc (theo hướng phân cực đầu vào)
Phân kỳ chùm: 5 mrad (Tối đa)
Góc nghiêng: ± 2° (Tối đa)
Dung sai phân cực đầu vào: ± 3°
Biến dạng mặt sóng: ≤λ / 4 ở 635 nm
Lớp phủ AR: Ravg <0,5% từ 400 - 650 nm
Thông số kỹ thuật hiệu suất điều biến
Đầu vào điều biến: Đầu nối SMA, 0 - 2,5 V, Trở kháng đầu vào 10 kΩ
Tỷ lệ suy giảm: 512,6
Thời gian tăng / giảm tối thiểu (h): 0,65 ms / 7,3 ms
Tốc độ lặp lại đầu vào laser xung: > 1 MHz
Thông số kỹ thuật chung
Tùy chọn gắn kết
- Hai lỗ bấm 8-32 (M4) để gắn bài
- Hệ thống lồng 30 mm Tương thích qua Tám lỗ 4-40
- Ống kính Ø1" Tương thích thông qua các sợi SM1 bên trong sâu 4 mm ở mặt sau
Phạm vi nhiệt độ hoạt động: 15°C đến 45°C
(a) Giá trị RMS trên 8 giờ.
(b) Mức tối đa của dải tần số được xác định là điểm thu được độ suy giảm tiếng ồn 0 dB. Những bộ ăn nhiễu này được thiết kế để hoạt động ở tần số DC. Tuy nhiên, do các yếu tố bên ngoài (ví dụ nhiệt độ xung quanh, độ rung, độ ổn định không gian và / hoặc phân cực của nguồn sáng), hệ số suy giảm tiếng ồn dưới 10 Hz rất khó đo lường và định lượng. Do đó, các thông số kỹ thuật được đảm bảo ở mức 10 Hz trở lên.
(c) Hệ số suy giảm độ nhiễu là tỷ số giữa biên độ độ nhiễu trước và sau khi phát ra độ nhiễu. Nó đã được thử nghiệm ở công suất đầu vào 3 mW với biên độ độ nhiễu bằng 5% mức công suất đầu vào. Xem biểu đồ suy giảm độ nhiễu trong hướng dẫn.
(d) Đây là phạm vi điều chỉnh công suất đầu ra trong đó hệ số suy giảm độ nhiễu được đảm bảo cho mức công suất đầu vào nhất định. Nếu công suất đầu ra giảm hơn nữa, bộ đo độ nhiễu có thể không giảm được hoàn toàn độ nhiễu trong tín hiệu. Đặc điểm kỹ thuật này không bao gồm tổn thất do hấp thụ.
(e) Mật độ công suất đầu vào tối đa và ngưỡng thiệt hại của tia laser không phụ thuộc vào bước sóng. Ngoài ra, công suất đầu vào tối đa tuyệt đối thay đổi theo bước sóng; xem hướng dẫn để biết thêm chi tiết
(f) Được chỉ định cho đường kính chùm 1 / e^2.
(g) Tỷ số suy giảm là tỷ số giữa công suất tín hiệu ở mức suy giảm tối thiểu với công suất tín hiệu khi suy hao hoàn toàn, bất kể hệ số suy giảm độ nhiễu hiệu dụng, khi sử dụng đầu vào điều biến SMA.
(h) Thời gian tăng được đo trên cạnh tăng của cường độ đầu ra từ 10% đến 90% của công suất đầu ra đầy đủ.
