Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Loại đầu dò: Si/PIN
Dải bước sóng: 320 - 1000 nm
Đáp ứng Typical Maximum: 0.53 A/W @ 820 nm
Đường kính đầu dò hoạt động: 0.8 mm
Băng thông (3 dB): DC - 100 MHz
Tỷ lệ khuếch đại vi sai chung: >30 dB 35 dB (Typical)
Transimpedance Gain: High Z Load: 50 x 10^3 V/A 50 Ω Load: 24.5 x 10^3 V/A
Conversion Gain RF-Đầu ra: 26.5 x 10^3 @ 820 nm
Công suất bão hòa CW RF-Đầu ra: 150 µW @ 820 nm
Voltage Swing RF-Đầu ra: High Z Load: ±4.0 V 50 Ω Load: ±1.9 V
Đầu ra màn hình Conversion Gain: High Z Load: 10 V/mW @ 820 nm
Đầu ra màn hình xoay điện áp (Tối đa): High Z Load: 10 V 50 Ω Load: 1.55 V (Max)
NEP tối thiểu: 12 pW/√Hz (DC - 100 MHz)
Đầu vào quang học: Dung lượng trống
Ngưỡng thiệt hại điốt quang: 20 mW
Đầu ra điện: BNC, 50 Ω
Khớp nối đầu ra RF: DC (Khớp nối AC có sẵn theo yêu cầu)
Phạm vi nhiệt độ hoạt động (a): 0 đến 40°C
Phạm vi nhiệt độ lưu trữ: -40 đến 70°C
Kích thước (b) (Rộng x Cao x L): 84.5 mm x 65.3 mm x 21.1 mm (3.33" x 2.57" x 0.83")
Trọng lượng: 0.2 kg (w/o Power Supply)
Nguồn điện đi kèm (c): ± 12 V @ 250 mA (100/120/230 VAC, 50-60 Hz, Có thể chuyển đổi)
(a) Không ngưng tụ
(b) Không có đầu nối
(d) Tất cả các dữ liệu kỹ thuật đều hợp lệ ở 23 ± 5°C và độ ẩm tương đối 45 ± 15% (không ngưng tụ)
