Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Technology: GaN
Channel Mode: Enhancement
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: HEMT
Moisture Sensitive: Yes
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 96 W
Id - Continuous Drain Current: 25 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 72 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V
