Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Width: 1.25 mm
Height: 1 mm
Length: 2.1 mm
Technology: Si
Unit Weight: 7.500 mg
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Mounting Style: SMD/SMT
Qg - Gate Charge: 1.2 nC
Number of Channels: 2 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 300 mW
Vgs - Gate-Source Voltage: - 12 V, + 12 V
Id - Continuous Drain Current: 700 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 385 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 600 mV
