Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Fall Time: 4.2 ns
Rise Time: 1.3 ns
Technology: Si
Unit Weight: 1 g
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: 2 N-Channel
Qg - Gate Charge: 10.5 nC
Number of Channels: 2 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 3.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 12 V, + 12 V
Typical Turn-On Delay Time: 0.85 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 8.6 ns
Id - Continuous Drain Current: 8.5 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 25 S
Rds On - Drain-Source Resistance: 26 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 900 mV
