Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Width: 4.7 mm
Height: 15.49 mm
Length: 10.41 mm
Fall Time: 69 ns
Rise Time: 84 ns
Technology: Si
Unit Weight: 2 g
Channel Mode: Enhancement
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Qg - Gate Charge: 81 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 250 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 30 V, + 30 V
Typical Turn-On Delay Time: 24 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 70 ns
Id - Continuous Drain Current: 24 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 145 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V
