For full functionality of this site it is necessary to enable JavaScript.
EMIN.VN
0
Product image

MOSFET Vishay SI3460DV-T1-E3

ModelSI3460DV-T1-E3
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi

Vgs(th): 0.45V

Vgs (Max): 8V

Gate Charge (Qg): 20nC

Power consumption: 1.1W

Technology System: MOSFET(Metal Oxide)

Drain to Source voltage: 20V

Continuous drain current: 5.1A

Operating temperature range: -55 to 150C

Field-effect transistor type: N-CH

Drain to Source on-state resistance: 27mOhm

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8|4.5V

Datasheet


Cập nhật các ưu đãi mới nhất

Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.

Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụChính sách bảo mật của chúng tôi.

Hỗ trợ nhanh

Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi