BJTs - Transistor lưỡng cực đường ray WeEn Semiconductors PHE13005,127
Hãng sản xuấtWeEn Semiconductors(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelPHE13005,127
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Width: 4.7 mm
Height: 9.4 mm
Length: 10.3 mm
Technology: Si
Unit Weight: 6 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 75 W
DC Current Gain hFE Max: 40
Emitter- Base Voltage VEBO: 9 V
Collector- Base Voltage VCBO: 700 V
Maximum DC Collector Current: 4 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 10
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 400 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 300 mV
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi