Kính hiển vi điện tử ZEISS Sigma 300

Nguồn điện tử: Bộ phát trường nhiệt Schottky

Độ phân giải* ở 30 kV (STEM): 1.0 nm

Độ phân giải* ở 15 kV: 0.9 nm

Độ phân giải* ở 1 kV: 1.3 nm

Độ phân giải ở 500 V: 1.9 nm

Độ phân giải* ở 30 kV: ( VP mode ) 2.0 nm

Gia tốc điện áp: 0.02 – 30 kV

Độ phóng đại: 12× – 1,000,000×

Trường nhìn: 4.6 mm

Dòng dò 3 pA - 20 nA (tùy chọn 100 nA)

Khung hình ảnh: 32 k × 24 k pixel

Loại Điốt: Điốt dựa trên silicon để phát hiện trực tiếp các electron tán xạ ngược, một phân đoạn

Hình ảnh phân cực: Có thể cấu hình. Mặc định: “TEM” giống như độ tương phản

Khoảng cách làm việc tối ưu: 4 – 6 mm

Dải năng lượng: < = 7 keV

Dòng tia sơ cấp tối ưu: 50 pA – 1nA

Mô-đun cơ học: Mô-đun cơ học có độ ổn định cao với vỏ giảm âm

Khả năng bảo trì dễ dàng: đổi đi-ốt là cắm và chạy bình thường

Bảo vệ

Vỏ bảo vệ để tránh sạc và làm hỏng đi-ốt.

Bảo vệ tích hợp trong quá trình làm sạch mẫu/buồng plasma.

Tuổi thọ: Tuổi thọ dự kiến của điốt dò: 2 năm trong điều kiện sử dụng trung bình

Hệ thống tích hợp:

Kiểm soát va chạm với phần cứng ZEISS được triển khai.

Điện áp gia tốc giới hạn <7 kV.

Áp dụng hiệu chỉnh bảng EO.

Giao diện người dùng: Cài đặt mặc định được tối ưu hóa để dễ sử dụng.

Chèn và Rút: Khí nén

Datasheet

Flyer